三星发现全新半导体资料:内存、闪存迎来革新

    

三星电子宣告,三牛账号注册三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学,发现了一种全新的半导体资料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride),简称a-BN,有望推进下一代半导体芯片的加快开展。


近些年,三星SAIT环绕只要一层原子厚度的2D资料展开了会集攻关,尤其是环绕石墨烯取得了多项打破,包含石墨烯势垒三极管、新的石墨烯晶体管、大面积单晶体晶圆级石墨烯制作新法等等,并在加快它们的商业化。


无定形氮化硼拥有无固定形状的分子结构,三牛注册内部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯,后者也有硼原子、氮原子,不过是六边形结构,无定形氮化硼则与之天壤之别。


三星表明,无定形氮化硼的介电常数十分之低,只要戋戋1.78,一起又有很强的电气和力学特点,作为一种互连阻隔资料能够大幅度削减电子干扰,并且只需400℃的超低温度,就能成长到晶圆等级尺度。


三星以为,无定形氮化硼有望大范围的应用于DRAM内存、三牛平台NAND闪存的制作,特别合适下一代大规模服务器存储解决方案。


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